SIZF916DT-T1-GE3 Ficha de dados
Especificações para SIZF916DT-T1-GE3
Número da peça :
SIZF916DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH DUAL 30V
Series :
TrenchFET® Gen IV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Potência - Max :
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PowerPair® (6x5)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH DUAL 30V
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
603435 Peças
Preço de referência
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