SIZF916DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

Número da peça de fabricante

SIZF916DT-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SIZF916DT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH DUAL 30V

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

603435 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.46494~~

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Especificações para SIZF916DT-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIZF916DT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH DUAL 30V

Series : TrenchFET® Gen IV

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Recurso FET : Standard

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

Potência - Max : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-PowerWDFN

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PowerPair® (6x5)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIZF9 , SIZF916D

Documentos para SIZF916DT-T1-GE3

Folhas de dados : SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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