SI1926DL-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
2878465 Pieces
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Especificações para SI1926DL-T1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI1926DL-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.4nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
18.5pF @ 30V
Potência - Max :
510mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-70-6 (SOT-363)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI1926DL-T1-GE3
Folhas de dados :
SI1926DL-T1-GE3.pdf
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