IRFHM8337TRPBF - MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1676000 Pieces
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Especificações para IRFHM8337TRPBF
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IRFHM8337TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IRFHM8337TRPBF
Folhas de dados : IRFHM8337TRPBF.pdf
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