SI5475DDC-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Número da peça de fabricante

SI5475DDC-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SI5475DDC-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

6688 Pieces

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Especificações para SI5475DDC-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI5475DDC-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 8V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 6V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 1206-8 ChipFET™

Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI547 , SI5475DD

Documentos para SI5475DDC-T1-GE3

Folhas de dados : SI5475DDC-T1-GE3.pdf

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