H7N1002LSTL-E - MOSFET N-CH 100V LDPAK

Número da peça de fabricante

H7N1002LSTL-E

Número de peça interno

AX-H7N1002LSTL-E

Fabricante

Renesas Electronics America

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V LDPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

21736 Pieces

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Especificações para H7N1002LSTL-E

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : H7N1002LSTL-E

Fabricante : Renesas Electronics America

Descrição : MOSFET N-CH 100V LDPAK

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 75A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9700pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 100W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-LDPAK

Pacote / caso : SC-83

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : H7N1 , H7N100

Documentos para H7N1002LSTL-E

Folhas de dados : H7N1002LSTL-E.pdf

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