H7N1002LSTL-E - MOSFET N-CH 100V LDPAK
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
21736 Pieces
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Especificações para H7N1002LSTL-E
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
H7N1002LSTL-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
75A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9700pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-LDPAK
Pacote / caso :
SC-83
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para H7N1002LSTL-E
Folhas de dados :
H7N1002LSTL-E.pdf
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