JANTXV1N5619US - DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
46518 Pieces
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Especificações para JANTXV1N5619US
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
JANTXV1N5619US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF
Series :
Military, MIL-PRF-19500/429
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 3A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
250ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
500nA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SQ-MELF, A
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-5A
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para JANTXV1N5619US
Folhas de dados :
JANTXV1N5619US.pdf
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