SI2335DS-T1-E3 - MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
Número da peça de fabricante
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Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
16664 Pieces
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Especificações para SI2335DS-T1-E3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI2335DS-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1225pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 750mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SI2335DS-T1-E3
Folhas de dados : SI2335DS-T1-E3.pdf
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