SI2337DS-T1-E3 - MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
983190 Pieces
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Especificações para SI2337DS-T1-E3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI2337DS-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI2337DS-T1-E3
Folhas de dados :
SI2337DS-T1-E3.pdf
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