IPD65R950CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
793110 Pieces
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Especificações para IPD65R950CFDBTMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPD65R950CFDBTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14.1nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 36.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252-3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPD65R950CFDBTMA1
Folhas de dados : IPD65R950CFDBTMA1.pdf
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