SI4936BDY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
750325 Pieces
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Especificações para SI4936BDY-T1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI4936BDY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
530pF @ 15V
Potência - Max :
2.8W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI4936BDY-T1-GE3
Folhas de dados :
SI4936BDY-T1-GE3.pdf
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