BUK652R0-30C,127 - MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
62250 Pieces
Preço de referência
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Especificações para BUK652R0-30C,127

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : BUK652R0-30C,127
Fabricante : NXP USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 229nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 14964pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 306W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3
Peso : -
Condição : Novo e original
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Folhas de dados : BUK652R0-30C,127.pdf

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