IPI120N06S4H1AKSA2 - MOSFET N-CH TO262-3
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH TO262-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
23488 Pieces
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Especificações para IPI120N06S4H1AKSA2
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPI120N06S4H1AKSA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH TO262-3
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 21900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO262-3-1
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPI120N06S4H1AKSA2
Folhas de dados : IPI120N06S4H1AKSA2.pdf
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