TPN22006NH,LQ - MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1465850 Pieces
Preço de referência
USD 0.1914
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Especificações para TPN22006NH,LQ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TPN22006NH,LQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : TPN2 , TPN220

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Folhas de dados : TPN22006NH,LQ.pdf

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