IPL60R199CPAUMA1 - MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
246445 Pieces
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Especificações para IPL60R199CPAUMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPL60R199CPAUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 660µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1520pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 139W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-VSON-4
Pacote / caso : 4-PowerTSFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPL60R199CPAUMA1
Folhas de dados : IPL60R199CPAUMA1.pdf
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