HGTD1N120BNS9A - IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
684390 Pieces
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Especificações para HGTD1N120BNS9A
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
HGTD1N120BNS9A
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
5.3A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
6A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.9V @ 15V, 1A
Potência - Max :
60W
Energia de comutação :
70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
14nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
15ns/67ns
Condição de teste :
960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252AA
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para HGTD1N120BNS9A
Folhas de dados :
HGTD1N120BNS9A.pdf
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