IRFD220PBF - MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-IRFD220PBF
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
380160 Pieces
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Especificações para IRFD220PBF
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
IRFD220PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
800mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 480mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
260pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacote / caso :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para IRFD220PBF
Folhas de dados :
IRFD220PBF.pdf
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