CDBJFSC101200-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
45990 Pieces
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Especificações para CDBJFSC101200-G
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : CDBJFSC101200-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrição : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 780pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-2 Full Pack
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para CDBJFSC101200-G
Folhas de dados : CDBJFSC101200-G.pdf
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