NP33N06YDG-E1-AY - MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
66710 Pieces
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Especificações para NP33N06YDG-E1-AY
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : NP33N06YDG-E1-AY
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta), 97W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSON
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Peso : -
Condição : Novo e original
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Folhas de dados : NP33N06YDG-E1-AY.pdf
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