SIDR668DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
333210 Pieces
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Especificações para SIDR668DP-T1-GE3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SIDR668DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 100V
Series : TrenchFET® Gen IV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 108nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5400pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8DC
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SIDR668DP-T1-GE3
Folhas de dados : SIDR668DP-T1-GE3.pdf
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