TK12A60U(Q,M) - MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
132460 Pieces
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Especificações para TK12A60U(Q,M)
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
TK12A60U(Q,M)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Series :
DTMOSII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para TK12A60U(Q,M)
Folhas de dados :
TK12A60U(Q,M).pdf
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