2SK3666-3-TB-E - JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Número da peça de fabricante

2SK3666-3-TB-E

Número de peça interno

AX-2SK3666-3-TB-E

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

4863810 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.057684~~

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Especificações para 2SK3666-3-TB-E

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : 2SK3666-3-TB-E

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tensão - Divisão (V (BR) GSS) : -

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V

Dreno atual (Id) - Max : 10mA

Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id : 180mV @ 1µA

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4pF @ 10V

Resistência - RDS (On) : 200 Ohms

Potência - Max : 200mW

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-CP

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : 2SK3 , 2SK3666

Documentos para 2SK3666-3-TB-E

Folhas de dados : 2SK3666-3-TB-E.pdf

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