SI4931DY-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
975780 Pieces
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Especificações para SI4931DY-T1-E3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI4931DY-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 350µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
1.1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI4931DY-T1-E3
Folhas de dados :
SI4931DY-T1-E3.pdf
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