SI2308DS-T1-E3 - MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
4328 Pieces
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Especificações para SI2308DS-T1-E3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI2308DS-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 240pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.25W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SI2308DS-T1-E3
Folhas de dados : SI2308DS-T1-E3.pdf
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