STI11NM60ND - MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-STI11NM60ND
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
61950 Pieces
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Especificações para STI11NM60ND
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : STI11NM60ND
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Series : FDmesh™ II
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 90W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para STI11NM60ND
Folhas de dados : STI11NM60ND.pdf
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