SI2329DS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Número da peça de fabricante

SI2329DS-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SI2329DS-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1839160 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.15255~~

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Especificações para SI2329DS-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI2329DS-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : ±5V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1485pF @ 4V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3 (TO-236)

Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI232 , SI2329D

Documentos para SI2329DS-T1-GE3

Folhas de dados : SI2329DS-T1-GE3.pdf

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