RF4E070BNTR - MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-RF4E070BNTR
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1325410 Pieces
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Especificações para RF4E070BNTR
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : RF4E070BNTR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.6 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : HUML2020L8
Pacote / caso : 8-PowerUDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para RF4E070BNTR
Folhas de dados : RF4E070BNTR.pdf
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