TPH3208LSG - GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-TPH3208LSG
Fabricante
Descrição breve
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
49428 Pieces
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Especificações para TPH3208LSG
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TPH3208LSG
Fabricante : Transphorm
Descrição : GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 8V
Vgs (máx.) : ±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 96W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-PQFN (8x8)
Pacote / caso : 3-PowerDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TPH3208LSG
Folhas de dados : TPH3208LSG.pdf
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