GB05SLT12-252 - DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
134090 Pieces
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Especificações para GB05SLT12-252
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
GB05SLT12-252
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrição :
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo de Diodo :
Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Atual - Média Retificada (Io) :
5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.8V @ 2A
Rapidez :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
50µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F :
260pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 175°C
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para GB05SLT12-252
Folhas de dados :
GB05SLT12-252.pdf
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