PTAB182002TCV2R250XTMA1 - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
52926 Pieces
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Especificações para PTAB182002TCV2R250XTMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : PTAB182002TCV2R250XTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de transistor : LDMOS
Freqüência : 1.805GHz ~ 1.88GHz
Ganho : 14.8dB
Tensão - Teste : 28V
Classificação atual : 10µA
Figura de ruído : -
Atual - teste : 520mA
Potência : 29W
Voltagem - Rated : 65V
Pacote / caso : H-49248H-4
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : H-49248H-4
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : PTAB182 , PTAB182002T
Documentos para PTAB182002TCV2R250XTMA1
Folhas de dados : PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
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