SI4712DY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC

Número da peça de fabricante

SI4712DY-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SI4712DY-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

53016 Pieces

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Especificações para SI4712DY-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI4712DY-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC

Series : SkyFET®, TrenchFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14.6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1084pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 5W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI471 , SI4712D

Documentos para SI4712DY-T1-GE3

Folhas de dados : SI4712DY-T1-GE3.pdf

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