TPH1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
738945 Pieces
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Especificações para TPH1110ENH,L1Q
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TPH1110ENH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TPH1110ENH,L1Q
Folhas de dados : TPH1110ENH,L1Q.pdf
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