EPC2107ENGRT - GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-EPC2107ENGRT
Fabricante
Descrição breve
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
538710 Pieces
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Especificações para EPC2107ENGRT
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : EPC2107ENGRT
Fabricante : EPC
Descrição : GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potência - Max : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 9-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 9-BGA (1.35x1.35)
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para EPC2107ENGRT
Folhas de dados : EPC2107ENGRT.pdf
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