TK65G10N1,RQ - MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Número da peça de fabricante

TK65G10N1,RQ

Número de peça interno

AX-TK65G10N1,RQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

359515 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.78039~~

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Especificações para TK65G10N1,RQ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TK65G10N1,RQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Series : U-MOSVIII-H

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 65A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5400pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 156W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TK65 , TK65G1

Documentos para TK65G10N1,RQ

Folhas de dados : TK65G10N1,RQ.pdf

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