CSD25213W10 - MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-CSD25213W10
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3680490 Pieces
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Especificações para CSD25213W10
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : CSD25213W10
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 478pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-DSBGA (1x1)
Pacote / caso : 4-UFBGA, DSBGA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para CSD25213W10
Folhas de dados : CSD25213W10.pdf
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