SSM6J512NU,LF - MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3587315 Pieces
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Especificações para SSM6J512NU,LF
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SSM6J512NU,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
Series :
U-MOSVII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.2 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.25W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-UDFNB (2x2)
Pacote / caso :
6-WDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SSM6J512NU,LF
Folhas de dados :
SSM6J512NU,LF.pdf
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