GA10SICP12-263 - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Número da peça de fabricante

GA10SICP12-263

Número de peça interno

AX-GA10SICP12-263

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Descrição breve

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

23443 Pieces

Preço de referência

~~USD 16.75044~~

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Especificações para GA10SICP12-263

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : GA10SICP12-263

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descrição : TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : -

Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (máx.) : -

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1403pF @ 800V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 170W (Tc)

Temperatura de operação : 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK (7-Lead)

Pacote / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : GA10 , GA10SIC

Documentos para GA10SICP12-263

Folhas de dados : GA10SICP12-263.pdf

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