IPB107N20NAATMA1 - MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Número da peça de fabricante

IPB107N20NAATMA1

Número de peça interno

AX-IPB107N20NAATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

101470 Pieces

Preço de referência

~~USD 2.76486~~

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Especificações para IPB107N20NAATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPB107N20NAATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 88A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7100pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPB10 , IPB107N2

Documentos para IPB107N20NAATMA1

Folhas de dados : IPB107N20NAATMA1.pdf

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