K4F2E3S4HM-MHCJ - 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Fabricante
Descrição breve
12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
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1-2 dias
Quantidade disponível
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Especificações para K4F2E3S4HM-MHCJ
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : K4F2E3S4HM-MHCJ
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descrição : 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Series : DDR3
Densidade : 12 Gb
Org. : x32
Rapidez : 3733 Mbps
Voltagem : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temp. : -40 ~ 105 °C
Pacote : 200FBGA
Status do produto : Mass Production
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para K4F2E3S4HM-MHCJ
Folhas de dados : K4F2E3S4HM-MHCJ.pdf
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