SI8472DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

Número da peça de fabricante

SI8472DB-T2-E1

Número de peça interno

AX-SI8472DB-T2-E1

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2123450 Pieces

Preço de referência

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Especificações para SI8472DB-T2-E1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI8472DB-T2-E1

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 8V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 780mW (Ta), 1.8W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-Micro Foot (1x1)

Pacote / caso : 4-UFBGA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI84 , SI8472D

Documentos para SI8472DB-T2-E1

Folhas de dados : SI8472DB-T2-E1.pdf

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