BYV30JT-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
26565 Pieces
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Especificações para BYV30JT-600PQ
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : BYV30JT-600PQ
Fabricante : WeEn Semiconductors
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 30A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 30A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 65ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P
Temperatura de funcionamento - junção : 175°C (Max)
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para BYV30JT-600PQ
Folhas de dados : BYV30JT-600PQ.pdf
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