BSB165N15NZ3GXUMA1 - MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
274305 Pieces
Preço de referência
USD 1.022802
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Especificações para BSB165N15NZ3GXUMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : BSB165N15NZ3GXUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta), 45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 75V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / caso : 3-WDSON
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : BSB165 , BSB165N15

Documentos para BSB165N15NZ3GXUMA1

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