SI8429DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1012130 Pieces
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Especificações para SI8429DB-T1-E1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI8429DB-T1-E1
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 4V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-Microfoot
Pacote / caso : 4-XFBGA, CSPBGA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SI8429DB-T1-E1
Folhas de dados : SI8429DB-T1-E1.pdf
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