FDN5618P_G - INTEGRATED CIRCUIT

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
INTEGRATED CIRCUIT
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
22043 Pieces
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Especificações para FDN5618P_G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : FDN5618P_G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : INTEGRATED CIRCUIT
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.25A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 430pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : FDN , FDN56

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Folhas de dados : FDN5618P_G.pdf

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