K4B4G0846E-BYMA - 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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Descrição breve
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
93390 Pieces
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Especificações para K4B4G0846E-BYMA
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : K4B4G0846E-BYMA
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descrição : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Series : DDR3
Densidade : 4 Gb
Org. : 512M x 8
Rapidez : 1866 Mbps
Voltagem : 1.35 V
Temp. : 0 ~ 85 °C
Pacote : 78FBGA
Status do produto : Mass Production
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para K4B4G0846E-BYMA
Folhas de dados : K4B4G0846E-BYMA.pdf
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