SI4900DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
843440 Pieces
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Especificações para SI4900DY-T1-GE3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI4900DY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 665pF @ 15V
Potência - Max : 3.1W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SI4900DY-T1-GE3
Folhas de dados : SI4900DY-T1-GE3.pdf
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