GP1M009A090N - MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
21136 Pieces
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Especificações para GP1M009A090N

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : GP1M009A090N
Fabricante : Global Power Technologies Group
Descrição : MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2324pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 312W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PN
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : GP1M , GP1M00

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