BSP149H6327XTSA1 - MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
744590 Pieces
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Especificações para BSP149H6327XTSA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : BSP149H6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Series : SIPMOS®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 660mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 430pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT223-4
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para BSP149H6327XTSA1
Folhas de dados : BSP149H6327XTSA1.pdf
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