ES3JB M4G - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-ES3JB M4G
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
2487000 Pieces
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Especificações para ES3JB M4G
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : ES3JB M4G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.45V @ 3A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 34pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para ES3JB M4G
Folhas de dados : ES3JB M4G.pdf
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