ES3JB M4G - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-ES3JB M4G
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
2487000 Pieces
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Especificações para ES3JB M4G
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
ES3JB M4G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.45V @ 3A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
34pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para ES3JB M4G
Folhas de dados :
ES3JB M4G.pdf
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