SIS435DNT-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Número da peça de fabricante

SIS435DNT-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SIS435DNT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1379365 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.2034~~

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Especificações para SIS435DNT-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIS435DNT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 8V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5700pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.7W (Ta), 39W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIS43 , SIS435DN

Documentos para SIS435DNT-T1-GE3

Folhas de dados : SIS435DNT-T1-GE3.pdf

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